MOSFET IRF3710, 100V, 75A, CANAL N

Transistor mosfet IRF3710 Tipo TO-220 de 100V es un solo canal N que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr resistencia extremadamente baja por unidad, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápido y el diseño del dispositivo robusto que HEXFET MOSFET de potencia son bien conocidos por ofrecer al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para uso en una amplia variedad de aplicaciones.

 ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

• Corriente: 57A
• Voltaje: 100V
• Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C a 175°C
• Encapsulado: TO220AB
• Polaridad: Canal N
• Intensidad drenador continua Id: 57 A
• Tensión drenaje-fuente Vds: 100 V
• Resistencia de activación Rds(on): 0.023 ohm
• Tensión Vgs de medición Rds(on) : 10 V
• Tensión umbral Vgs: 4 V
• Disipación de potencia Pd: 200 W
• Temperatura de Trabajo Máx. 175°C
• Temperatura de Trabajo Mín. -55 °C
• Encapsulado: TO-220
• 3 pines