MOSFET 2N7000, 60V, 200mA CANAL N

ESPECIFICACIONES 

• Polaridad del transistor: Canal N
• Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
• Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
• Corriente continua de drenaje ID: 200 mA
• Corriente de drenaje pulsada IDP: 1 A
• Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 400 mW
• Temperatura de operación mínima: -55 °C
• Temperatura de operación máxima: 150 °C
• Encapsulado: TO-92
• Número de pines: 3