Su bajo RDS(on) de tan solo 0.02Ω garantiza un excelente rendimiento térmico y eficiencia energética. Su encapsulado TO-220 permite la fácil integración en sistemas de potencia con disipadores.
Características destacadas:
- Canal P para conmutación en el lado positivo de la fuente
- Soporta hasta 74A de corriente y 55V de voltaje
- Bajo RDS(on) para reducir pérdida de energía
- Compatible con lógica de control mediante driver MOSFET
- Encapsulado TO-220 ideal para montaje con disipador
Especificaciones técnicas:
- Modelo: IRF4905
- Tipo: MOSFET canal P
- Voltaje de drenaje a fuente (VDS): –55V
- Corriente de drenaje (ID): –74A
- Voltaje de compuerta (VGS): ±20V
- RDS(on): 0.02Ω (a VGS = –10V)
- Potencia de disipación: 200W
- Encapsulado: TO-220
- Tipo de montaje: Through-hole (pasante)
El IRF4905 es la elección ideal para quienes requieren un MOSFET robusto de canal P con alto desempeño y eficiencia para controlar cargas desde el lado positivo de la fuente, especialmente en aplicaciones donde se exige fiabilidad y control de alta corriente.




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