MOSFET IRF640N 200V, 18A, CANAL N

IRF640N es un transistor MOSFET, es de un 1 canal tipo N. Es utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

Se pueden operar directamente desde circuitos integrados. Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para diferentes tipos de aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé.

ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS

• Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
• Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
• Carga de compuerta (Qg): 50 nC
• Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2100 pF
• Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.18 Ohm
• Encapsulado: TO-220
• 3 pines